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IRFB4110QPBF中文资料

  • 大小：306.09KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 制造商：International Rectifier
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：20 V
  • 漏极连续电流：180 A
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220AB
  • 栅极电荷 Qg：150 nC
  • 功率耗散：370 W

IRFB4110QPBF供应商

更新时间:2023-02-03 05:24:59
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